机译:磁场对AlGaInP多量子阱激光器的阈值电流,温度特性和输出功率的影响
机译:磁场对AlGaInP多量子阱激光器的阈值电流,温度特性和输出功率的影响
机译:GaInP-AlGaInP可见光多量子线状激光器(MQWR-LD)在室温脉冲条件下的低阈值电流密度操作
机译:在室温下实现带隙收缩到高发光效率658 nm AlGaInP / GaInP多量子阱激光器的光谱特性
机译:InP / AlGaInP量子点激光器中阈值电流的温度依赖性起源
机译:使用阱中砷化铟/砷化铟镓镓结构的超低阈值量子点激光器的特性。
机译:使用非对称In0.15Ga0.85N / In0.02Ga0.98N多量子阱提高InGaN激光二极管的输出功率
机译:用叔丁基胂和叔丁基膦的金属有机化学气相沉积法生长GaInp / alGaInp多量子阱激光器结构的温度依赖性光致发光
机译:高功率多量子阱GaInassb / alGaassb二极管激光器在2.1micrometers发射,具有低阈值电流密度。 (重新公布新的可用性信息)